產(chǎn)品分類
LPCVD設(shè)備
所屬分類：
臥式爐管設(shè)備
半導(dǎo)體芯片設(shè)備
LPCVD設(shè)備
概要：
適用領(lǐng)域：集成電路、先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging, Compound Semiconductors 適用材料: ?Si、SiC、GaN Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN) 晶圓尺寸：12/8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch 適用工藝：氮化硅(SiN)、多晶硅(Poly-Si/U-Poly/D-Poly)、 二氧化硅(TEOS)、HTO等 Applicable Processes: Silicon Nitride (SiN) Deposition, Polysilicon(Poly-Si / U-Poly /D-Poly) Deposition, Silicon Dioxide (TEOS) Deposition, HTO, etc.
關(guān)鍵詞：
LPCVD臥式爐管設(shè)備
LPCVD設(shè)備
產(chǎn)品應(yīng)用/Product Applications：
適用領(lǐng)域：集成電路、先進(jìn)封裝、化合物半導(dǎo)體 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging, Compound Semiconductors
適用材料: Si、SiC、GaN Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN)
晶圓尺寸：12/8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch
適用工藝：氮化硅(SiN)、多晶硅(Poly-Si/U-Poly/D-Poly)、 二氧化硅(TEOS)、HTO等 Applicable Processes: Silicon Nitride (SiN) Deposition, Polysilicon(Poly-Si / U-Poly /D-Poly) Deposition, Silicon Dioxide (TEOS) Deposition, HTO, etc.
技術(shù)指標(biāo)/Technical Indicators：
制程溫度范圍：500°C-1000°C Process Temperature Range: 500°C-1000°C
批次片數(shù)：100-150片 Batch Capacity: 100-150 pcs
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