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山東力冠微電子裝備

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氧化/擴散/退火爐

適用領域:集成電路、先進封裝、化合物半導體 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging, Compound Semiconductors 適用材料: ?Si、SiC、GaN Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN) 晶圓尺寸:12/8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch 適用工藝:氧化(Oxidation)、退火(Annealing)、固化(Polyimide)、 合金(Alloy)、擴散(Diffusion) Applicable Processes: High-Temperature Annealing

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