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山東力冠微電子裝備

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SiC高溫退火爐

? 適用領域:化合物半導體 Relevant Industries: Compound Semiconductors ?適用材料:SiC Suitable for Processing: Silicon Carbide (SiC) ?晶圓尺寸:8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch ?適用工藝:高溫退火(Annealing) Applicable Processes: High-Temperature Annealing Applicable process: Annealing of SiC and GaN wafers

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