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山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示


SiC高溫氧化爐

?適用領(lǐng)域:化合物半導(dǎo)體 Relevant Industries: Compound Semiconductors ?適用材料:SiC Suitable for Processing: Silicon Carbide (SiC) ?晶圓尺寸:8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch ?適用工藝:高溫氧化(Oxidation) Applicable Processes: High-Temperature Oxidation

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